從19世紀科學家們發(fā)現(xiàn)了晶體硅的半導體特性后，它幾乎改變了一切，甚至人類的思維。直到上世紀60年代開始，硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料――因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件的特性而成為應用比較多的一種半導體材料，目前的集成電路半導體器件大多數(shù)是用硅材料制造的

　　現(xiàn)在，我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產業(yè)化比較快的。

　　熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。

　　單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅棒是生產單晶硅片的原材料，隨著國內和市場對單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。

　　單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法(CZ)、區(qū)熔法(FZ)和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用于大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節(jié)能燈、電視機等系列產品。目前晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領域。

　　由于成本和性能的原因，直拉法(CZ)單晶硅材料應用較廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch-up的能力。

　　單晶硅也稱硅單晶，是電子信息材料中比較基礎性材料，屬半導體材料類。單晶硅已滲透到國民經(jīng)濟和國防科技中各個領域，當今全球超過2000億美元的電子通信半導體市場中95%以上的半導體器件及99%以上的集成電路用硅。

　　多晶硅是由許多硅原子及許多小的晶粒組合而成的硅晶體。由于各個晶粒的排列方向彼此不同，其中有大量的缺陷。多晶硅一般呈深銀灰色，不透明，具有金屬光澤，性脆，常溫下不活潑。

　　多晶硅是用金屬硅(工業(yè)硅)經(jīng)化學反應、提純,再還原得到的高純度材料(也叫還原硅)。目前世界上多晶硅生產的方法主要有改良西門子法(SiHCl3)、新硅烷法(SiH4)、SiH2Cl2熱分解法、SiCl4法等多晶硅生產工藝。

　　當前全球多晶硅的市場狀況是：從上來看，早幾年多晶硅還處于供過于求的局面，2004年開始，由于太陽能產業(yè)的發(fā)展，太陽能用多晶硅供不應求，導致全球多晶硅供應緊張。在國內，我國多晶硅生產長期不能滿足國內市場需要，嚴重依賴于進口。

　　設備處理工藝

　　原水箱→原水提升泵→石英砂過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→一級高壓泵→一級反滲透→級間水箱→二級高壓泵→中間水箱→EDI提升泵→微孔過濾器→EDI系統(tǒng)→EDI水箱→拋光混床→用水點

　　設備處力：按客戶要求設計

　　出水指標：≥18.2MΩ.CM

　　產水用途

　　在太陽能電池、單晶硅多晶硅硅片硅材料清洗、LED、LCD、光電光學行業(yè)領域，中天恒遠水處理設備公司擁有多年的LED、LCD、光電光學行業(yè)脫鹽水和超純水設備的設計、研發(fā)、調試和售后服務的成功經(jīng)驗。

　　在設備設計上，采用成熟、可靠、先進、自動化程度高的兩級RO+EDI水處理工藝，確保處理后的超純水水質符合要求，水利用率高，運行可靠，經(jīng)濟合理。關鍵設備及材料均采用目前先進可靠產品，采用PLC+觸摸屏控制，全套系統(tǒng)自動化程度高，系統(tǒng)穩(wěn)定性高。大大節(jié)省人力成本和維護成本。使設備與其它同類產品相比較，具有更高的性價比和設備可靠性。

　　我們公司專業(yè)生產反滲透+EDI超純水設備，有多年的生產經(jīng)驗，尤其在電控系統(tǒng)PLC方面在水處理行業(yè)技術都是比較成熟，我們也有做過很多各行業(yè)的水處理設備，這方面我們有豐富的經(jīng)驗。我們公司做出來的設備質量比他們都有優(yōu)勢，在國內具有一定的市場竟爭力。該產品由于具備性能好、價格低于國外同類產品價格、供貨及時、售后服務方便快捷等諸多優(yōu)勢。在LED、LCD、光電光學企業(yè)的脫鹽水和超純水裝置，得到了業(yè)界的廣泛贊譽，歡迎廣大客戶前來參觀考察。